Прозвонка транзистора мультиметром: проверка тестером на плате

Принцип работы и виды транзисторов

Транзисторы — это полупроводниковые устройства, используемые для преобразования электрических величин. Их основное применение — усиление сигнала и возможность работы в ключевом режиме. Они доступны с тремя и более контактами. Есть три типа устройств:

• биполярный;
• поле;
• биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Также есть составной транзистор. Он включает электрическую интеграцию нескольких устройств одного типа в один корпус. Такие сборки называются парой Дарлингтона и Шиклая и также имеют три кабеля.

Биполярное устройство

Они делятся по типу. Доступны как с электронной проводимостью, так и с перфорацией. В своей конструкции они используют np или pn переход. Дырчатые транзисторы состоят из двух областей с экстремальной проводимостью p и средней проводимости n. В электронном виде все наоборот. Центральная зона называется базой, а прилегающие к ней области — коллектором и эмиттером. Каждая зона имеет свой выход.

Зазор между соседними переходами очень маленький, не превышает микрометров. Кроме того, содержание примесей в основе ниже, чем их количество в других областях устройства. Графически биполярное устройство обозначено для PNP стрелкой внутрь и для NPN стрелкой наружу, указывающей направление тока.

Перед тем, как проверить мультиметром биполярный транзистор, необходимо понять, какие физические процессы происходят в устройстве. В основе работы устройства лежит способность pn перехода пропускать ток в одном направлении. При подаче питания на одном переходе появляется прямое напряжение, а на другом — обратное. Переходная область при прямом напряжении имеет низкое сопротивление, а при обратном — большое.

Принцип работы заключается в том, что прямой сигнал влияет на токи эмиттера и коллектора. По мере увеличения значения прямого сигнала увеличивается ток в зоне прямого подключения. Носители заряда перемещаются в область базы, что приводит к увеличению тока в области обратного соединения. Возникают объемный заряд и электрическое поле, которые способствуют образованию заряда разного знака в зоне обратной связи. В базе происходит частичное разрушение зарядов противоположного знака, процесс рекомбинации. За счет этого возникает базовый ток.

Эмиттер — это область устройства, которая используется для переноса носителей заряда на базу. Коллектор — это область, предназначенная для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область, где эмиттер передает противоположное количество заряда. Главная особенность устройства — вольт-амперная характеристика. На схеме элемент обозначен латинскими буквами VT или Q.

Полевой прибор

Полевые транзисторы были изобретены в 1952 году. Их главным преимуществом является высокий входной импеданс по сравнению с биполярными устройствами. Такие элементы часто называют униполярными или МОП-транзисторами. По способу управления они делятся на транзисторы с управляющим pn переходом и с изолированным затвором.

Полевой транзистор состоит из трех проводников, один из которых является управляющим проводом, называемым затвором. Другой источник, соответствующий выводу эмиттера в биполярном устройстве, — это третья лунка, выход из которой берется сигнал. Каждый тип устройства имеет n-канальные и p-канальные транзисторы.

Работа устройства с каналом управления, например типа n, основана на следующем принципе. Источник питания, подключенный к устройству, создает на его переходе обратное напряжение. При изменении уровня входного сигнала изменяется и обратное напряжение. Это приводит к тому, что изменяется площадь, через которую протекает основная масса носителей заряда. Эта область называется каналом. Полевые транзисторы изготавливаются методом плавления или диффузии.

МОП-транзистор с изолированным затвором представляет собой металлический канал, отделенный от полупроводникового слоя диэлектриком. Обычное название устройства — MOSFET (металл-оксид-полупроводник-полевой транзистор).

Основание элемента — кремниевая пластина с электропроводностью отверстия. В нем создаются области с электронной проводимостью, которые образуют исток и сток соответственно. Этот МОП-транзистор работает в режиме исчерпания или обогащения. В первом случае на затвор прикладывается напряжение относительно источника отрицательной величины, электроны вытесняются из канала, и ток источника уменьшается. Однако во втором режиме ток увеличивается из-за поглощения новых носителей заряда.

Транзистор с индуцированным каналом открывается, когда есть разность потенциалов между затвором и истоком. Для полевого работника с p-каналом на затвор подается отрицательное напряжение, а с n-каналом — положительное. Особенность мощных транзисторов в том, что вывод истока соединен с корпусом устройства. Это соединяет базу с эмиттером. Это соединение образует диод, который в закрытом состоянии не влияет на работу устройства.

Биполярный тип с изолированным затвором

Устройства этого типа называются IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Это сложное устройство, в котором, например, n-канальный полевой транзистор управляется биполярным устройством PNP.

Коллектор mosfet подключен к эмиттеру биполярного транзистора. Если на затвор подается положительное напряжение, между эмиттером и базой транзистора создается токопроводящий канал. В результате включается IGBT, падение напряжения на PN переходе уменьшается. По мере увеличения значения напряжения ток канала в базе биполярного устройства также пропорционально увеличивается, а падение напряжения на транзисторе IGBT уменьшается. Если полевой транзистор закрыт, ток биполярного устройства будет почти нулевым.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время испытания и из-за перегрева могут выйти из строя.

Важно! Они уязвимы для статического электричества. В процессе проведения работ необходимо следить за тем, чтобы он не попал на контролируемую часть.

При работе в составе схемы может произойти поломка, в результате чего полевой транзистор выходит из строя и требует замены. Об этом свидетельствует низкое сопротивление pn-переходов в обоих направлениях.

Вы можете определить эффективность транзистора, если поиграете с цифровым мультиметром.

Назначение пина

Делать это нужно следующим образом (например, используется широко распространенная модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

1. Мультиметр необходимо перевести в режим проверки диодов. Он отмечен на панели схемой диода.
2. К устройству подключены два щупа: черный и красный. На передней панели есть три слота. Черный установлен внизу, красный — в центре. Первый соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
3. на испытуемом полевом транзисторе необходимо определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
4. В некоторых моделях также предусмотрен внутренний диод для защиты детали от перегрузки. Для начала нужно проверить, как это работает. Для этого красный провод подключается к истоку, а черный — к стоку.

Диодный тест вперед

Индикатор должен показывать значение в диапазоне 0,5-0,7. Если провода перевернуты, на экране будет отображаться одна единица, что означает, что ток не течет в этом направлении.

Обратный тест диода

1. Кроме того, проверяется работоспособность транзистора.

Если вы подключите щупы к истоку и стоку, ток через них не будет протекать. Чтобы открыть ставень. К затвору должно быть приложено положительное напряжение. При этом следует учитывать, что на красный щуп от мультиметра подается положительный потенциал. Теперь достаточно подключить его к затвору, а черный к стоку или истоку, чтобы транзистор пропускал ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключен к истоку, а черный провод — к стоку, мультиметр покажет определенное падение напряжения, например 60. Если вы подключите его в обратном направлении, индикатор будет более или менее таким же.

Если к затвору приложить отрицательный потенциал, он закроет транзистор в обоих направлениях, но встроенный диод будет работать. Если полевое устройство не закрыто, это указывает на его неисправность.

Аналогичным образом выполняется проверка mofset p-канала. Разница в том, что когда вы проверяете, где вы использовали красный датчик раньше, теперь вы используете черный и наоборот.

Работа полевого МОП-транзистора

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для проведения измерений тестер соединяется рядом проводов с измеряемым элементом. На одном конце каждого из проводов имеется заглушка для установки в розетку счетчика, а на другом конце — контактный щуп. Процедуру измерения электронным мультиметром в целом можно представить в виде следующих действий:

1. Включите устройство, нажав кнопку ВКЛ / ВЫКЛ.
2. Вставьте кабельные вилки в соответствующие гнезда на панели. COM — общий разъем для подключения датчика. V / Ω — положительный разъем для подключения датчика.
3. Установите селектор в положение обрыва диода «о)))».
4. Прижмите щупы к кабелям прибора.
5. Получите показания с экрана.

В дополнение к методу непрерывности, если это позволяет тестер, можно измерить полупроводниковый элемент, установив переключатель в положение hFE. В этом случае не нужны никакие провода и щупы. Но этот метод подходит только для биполярных устройств.

С чего начать?

Перед тем как проверить мультиметром работоспособность любого элемента, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по разметке. Осознав это, не составит труда найти на тематических сайтах техническое описание (паспорт). С его помощью узнаем тип, распиновку, основные характеристики и другую полезную информацию, в том числе аналоги для замены.

Например на телевизоре перестала работать сканирование. Подозрение вызывает линейный транзистор с маркировкой D2499 (кстати довольно частый случай). Найдя в Интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю информацию, необходимую для проведения теста.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Существует высокая вероятность того, что найденный даташит на английском языке, это нормально, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, свариваем деталь и приступаем к поверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Подготовка к измерению

Перед началом измерений необходимо:

1. Верните датчики на место. Рекомендуем внимательно изучить инструкцию к мультиметру, чтобы знать, какая розетка для чего предназначена. Обычно на черном щупе есть одно отверстие с надписью «COM», а в красном — «VΩmA». Если у вашего мультиметра есть такие розетки, подключите.
2. Выбираем нужную функцию: проверка сопротивления. Во втором случае можно установить ограничение в 2 кОм. Режим проверки сопротивления — это, по сути, омметр. Поэтому, если вы ищете, как проверить транзистор омметром, но у вас нет такого прибора отдельно, то смело используйте мультиметр с этой функцией.

Измерение

Теперь можно приступить к проверке. Сначала проверим проводимость pnp:

1. Соедините конец черного провода с клеммой «B», красный — с клеммой «E».
2. Посмотрите на экран тестера. Значения от 0,6 до 1,3 кОм указывают на нормальную работу.
3. Также проверьте значения между клеммами «B» и «K». Нормальные значения находятся в том же диапазоне.

Если вы видите минимум в одной или обеих фазах, это указывает на прорыв.

Как дополнительно проверить состояние транзистора омметром:

1. Поменяйте полярность, т.е переставьте щупы.
2. Попробуй снова. Если с транзистором все в порядке, вы увидите, что сопротивление стремится к минимуму. Если вы видите 1, это означает, что проверяемое значение выше емкостей элемента, то есть в цепи есть разрыв, придется менять транзистор.

Теперь проверим транзистор обратной проводимости. Из-за этого:

1. Подключите алый провод к «В».
2. Проверьте сопротивление другим наконечником. Для этого по очереди нажмите «К» и «Е». Полученные цифры должны быть как минимум.
3. Поменяйте полярность.
4. Попробуй снова. Если вы видите значение от 0,6 до 1,3 кОм, все в порядке.

Вкратце суть проверки транзистора омметром показана на картинке:

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра мы использовали многофункциональный мультитестер Victor VC9805 +, хотя для измерений подойдет любой цифровой измеритель, например, знакомые DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, в магазинах радиоприемников, но и в магазинах автозапчастей. Приобрести подходящий мультиметр можно в интернете, например, на Алиэкспресс.

Во-первых, давайте проверим кремниевый биполярный транзистор КТ503 собственного производства. Имеет структуру npn. Вот его распиновка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово распиновка, поясню. Распиновка — это расположение функциональных клемм на корпусе радиоэлемента.

Для транзистора функциональными выходами будут соответственно коллектор (K или англ.-C), эмиттер (E или англ.

— E), базовый (B или английский — C).

Сначала подключаем красный щуп (+) к базе транзистора КТ503, а черный щуп (-) к выводу коллектора. Затем проверяем работу pn перехода при прямом включении (т.е когда переход является проводящим). На дисплее отображается значение напряжения пробоя. В данном случае он равен 687 милливольтам (687 мВ).

Также, не отсоединяя красный щуп от вывода базы, подключаем черный («отрицательный») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видите, pn переход между базой и эмиттером также проводит ток. На дисплее снова отображается значение напряжения пробоя, равное 691 мВ. Поэтому мы протестировали переходы BK и BE при прямом подключении.

Чтобы убедиться, что pn переходы транзистора КТ503 в хорошем состоянии, мы также проверим их при так называемом обратном подключении. В этом режиме pn переход не проводит ток, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если единица отображения — «1», это означает, что сопротивление перехода велико и не пропускает ток.

Для проверки pn переходов БК и ВЕ при обратном включении меняем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Подключаем отрицательный («черный») щуп к базе и сначала подключаем положительный («красный») щуп к выводу коллектора…

А потом, не отключая отрицательный щуп от выхода базы, к эмиттеру.

Как видно из фотографий, в обоих случаях на дисплее отображается цифра «1», что, как уже было сказано, указывает на то, что pn переход не пропускает ток. Итак, мы проверили переходы BK и BE в обратном соединении.

Если вы внимательно следили за презентацией, то заметили, что мы проверили транзистор в соответствии с ранее описанным методом. Как видите, пригодился транзистор КТ503.

Пробой P-N перхода транзистора

Если какой-либо из переходов (BK или BE) нарушен, при их проверке на дисплее мультиметра будет обнаружено, что в обоих направлениях, как при прямом, так и при обратном соединении, они показывают напряжение без пробоя перехода pn, но сопротивление. Это сопротивление равно нулю «0» (зуммер будет пищать) или оно будет очень маленьким.

В случае обрыва pn переход не пропускает ток ни вперед, ни назад — на дисплее в обоих случаях будет отображаться «1». При таком дефекте pn переход превращается, так сказать, в изолятор.

Аналогично осуществляется управление биполярными транзисторами pnp-структуры. Но в этом случае необходимо изменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Напомним рисунок условного изображения pnp-транзистора в виде двух диодов. Если вы забыли, посмотрите еще раз, и вы увидите, что катоды диодов соединены друг с другом.

В качестве образца для наших экспериментов возьмем отечественный кремниевый транзистор КТ3107 pnp-структуры. Вот его распиновка.

На картинках тест транзистора будет выглядеть так. Проверим переход ВК при прямом подключении.

Как видите, переход в порядке. Мультиметр показал напряжение пробоя перехода — 722 мВ.

Мы делаем то же самое для перехода BE.

Как видите, тоже полезно. На дисплее отображается 724 мВ.

1. Теперь проверим работоспособность переходов в обратном направлении — на наличие «провала» перехода.
2. БК переход с инверсным включением…
3. BE переход к обратному включению.

В обоих случаях на дисплее устройства — цифра «1». Транзистор хороший.

Подведем итог и опишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

• Определение цоколевки транзистора и его структуры;
• Проверка переходов BK и BE при прямом включении с помощью функции проверки диодов;
• Проверка переходов BK и BE при обратном подключении (на наличие «неисправности») с помощью функции проверки диодов;

При проверке следует помнить, что помимо обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К ним относятся составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, линейные транзисторы (так называемые «линейные») и так далее

Все они имеют свои особенности, такие как встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора иногда затрудняет их проверку по данной методике.

Поэтому перед проверкой неизвестного вам транзистора желательно ознакомиться с его документацией (техпаспортом).

Проверка простой схемой включения транзистора

Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. В этой схеме транзистор действует как «переключатель». Такую схему можно быстро собрать, например, на печатной плате. Обратите внимание на резистор 10 кОм, который входит в базу транзистора.

Это очень важно, иначе во время теста транзистор «сгорит». Если транзистор исправен, при нажатии на кнопку светодиод должен загореться, а при отпускании — погаснуть. Эта схема предназначена для тестирования транзисторов NPN. Если необходимо проверить pnp транзистор, то в этой схеме необходимо поменять местами контакты светодиода и подключить питание реверсом.

Проверить транзистор мультиметром проще и удобнее. Кроме того, есть мультиметры с функцией проверки транзисторов. Они показывают ток базы, ток коллектора и даже коэффициент усиления транзистора.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

это наиболее распространенный компонент, такой как серии KT315, KT361 и т.д.

Проблем с тестированием такого типа проблем не возникнет, просто представьте pn переход в виде диода. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух диодов, соединенных встречным или обратным образом со средней точкой (см. Рис. 3).

Рисунок 3. «Аналогичные диоды» pnp и npn переходов

Подключаем щупы к мультиметру, черный к «COM» (это будет минус), а красный к гнезду VΩmA (плюс). Включаем тестовый прибор, переводим его в режим измерения состава или сопротивления (достаточно выставить предел 2 кОм) и приступаем к тесту. Начнем с проводимости pnp:

1. Подключаем черный щуп к клемме «B», а красный (от разъема «VΩmA») к ножке «E». Смотрим показания мультиметра, он должен отображать значение сопротивления перехода. Нормальный диапазон составляет от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
2. Аналогичным образом производим замеры между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если во время первого и / или второго измерения мультиметр показывает минимальное сопротивление, это означает, что соединение (а) неисправно и деталь необходимо заменить.

Поменяйте полярность (красный и черный щуп) в некоторых местах и ​​повторите измерения. Если электронный компонент исправен, сопротивление будет отображаться, стремясь к минимальному значению. При показании «1» (измеренное значение превышает возможности прибора) можно указать на внутренний разрыв цепи в цепи, поэтому потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости проводится по тому же принципу с небольшими изменениями:

1. Подключаем красный щуп к ножке «В» и проверяем сопротивление черным щупом (касаясь клемм «К» и «Е» поочередно), оно должно быть минимальным.
2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в пределах 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений указывают на неисправность компонентов.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводникового элемента также называется компонентами mosfet и mosfet. На рис. 4 показано графическое обозначение полевых операторов каналов n и p на принципиальных схемах.

Рис. 4. Полевой транзистор (канал N и P)

Для проверки этих устройств мы подключаем щупы к мультиметру так же, как и для теста биполярных полупроводников, и устанавливаем тип теста «непрерывность». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черной нитью ножки «с» и красной нитью — булавки «е». На встроенном диоде отобразится сопротивление, запомните показания.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (он выйдет лишь частично), для этого подключаем щуп красным проводом к клемме «z».
3. Повторяем измерение, сделанное на шаге 1, показание изменится в сторону уменьшения, что указывает на частичное «обнаружение» работника в поле.
4. Теперь необходимо «замкнуть» компонент, для этого соединяем отрицательный щуп (черный провод) с ножкой «z».
5. Повторяем шаги на странице 1, будет отображаться начальное значение, затем произошло «закрытие», что свидетельствует о работоспособности компонента.

Для проверки элементов p-канала последовательность действий остается прежней, за исключением полярности датчиков, которую необходимо поменять местами.

Обратите внимание, что биполярные элементы с изолированным затвором (IGBT) тестируются так же, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, принадлежащий к этому классу.

Рис. 5. IGBT-транзистор SC12850

Для испытаний необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом того, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может не хватить (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации потребуется дополнительное питание (достаточно 12 вольт). Его необходимо подключать через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Этот полупроводниковый элемент еще называют «транзистором Дарлингтона», по сути, это два элемента, собранные в едином корпусе. Например, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации на КТ827А, показывающий эквивалентную схему его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить мультиметром такой элемент не получится, придется сделать простой щуп, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема проверки составного транзистора

Обозначение:

• Т — тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
• L — лампочка.
• R — резистор, его величина рассчитывается по формуле h21E * U / I, то есть значение входного напряжения умножаем на минимальное значение усиления (для КТ827А — 750), результат делим на ток нагрузка. Предположим, мы используем автомобильную боковую лампу мощностью 5 Вт, ток нагрузки составляет 0,42 А (5/12). Поэтому нам понадобится резистор 21 кОм (750 * 12 / 0,42).

Тест проводится следующим образом:

1. Подключаем плюс от источника к базе, в результате должен включиться свет.
2. Дадим минус: свет гаснет.

Этот результат свидетельствует о работоспособности радиокомпонента, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

Для примера предоставим КТ117, фрагмент его спецификации представлен на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Элемент проверяется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим набора номера и проверяем сопротивление между ножками «В1» и «В2», если оно незначительно, то можем указать на пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос вполне актуален, особенно в тех случаях, когда необходимо проверить целостность элементов smd. К сожалению, мультиметром можно проверить только биполярные транзисторы, не снимая их с платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку pn переход элемента нередко отклоняется из-за низкого сопротивления.

Как проверить p-n-p транзистор мультиметром

Биполярные транзисторы могут иметь прямую проводимость pnp и обратную проводимость npn. На схеме проводимость pnp-переходов указана стрелкой в ​​направлении основания, а npn-переходы отражены стрелкой, указывающей направление от основания. Чтобы проверить транзистор с помощью мультиметра, выберите предел измерения сопротивления 2000 Ом или «непрерывность”.

Найти обратное сопротивление переходов

Минус мультиметра нанесен на базу транзистора, а плюс поочередно на выводы коллектора и эмиттера. Нормальное сопротивление перехода будет в пределах 400 — 1200 Ом. Чтобы проверить переходы коллектор — база и эмиттер — база на обратное сопротивление, тем больше мультиметр приложен к базе и недостатки в свою очередь эмиттер и коллектор.

Обратное сопротивление коллектора и эмиттера должно быть большим, а счетчик покажет «1». Для проверки транзистора с обратной полярностью npn на базу прикладывают плюс мультиметра, а в остальном процедура такая же, как и при проверке полярности pnp. Таким же методом можно проверить работоспособность транзисторов, не отпаивая их от платы.

Иногда переходы транзистора в цепи могут отклоняться из-за небольшого сопротивления. Так что лучше распаять базу или весь транзистор, так как показания мультиметра при проверке целостности элемента будут неверными. Если переходы транзистора в любом направлении показывают ноль или близкое к нему значение, это указывает на обрыв переходов, а показания «1» на мультиметре указывают на обрыв переходов.

Как найти цоколевку транзистора мультиметром

Распиновку (распиновку) транзистора можно найти в справочнике или по типу транзистора в Интернете. Также можно определить расположение клемм с помощью мультиметра. Для этого плюс мультиметра прикладывают к правому выводу транзистора, а минус — к среднему и левому контакту.

Как найти эмиттер и коллектор

Допустим, сопротивление в обоих измерениях бесконечно. Оказывается, мы нашли обратное сопротивление двух npn-переходов. Итак, мы добрались до базы. Чтобы найти коллектор и эмиттер, минус стоит на цоколе, и чем больше мы касаемся двух оставшихся клемм по очереди.

На дисплее отображаются значения сопротивления переходов 816 Ом и 807 Ом. Вывод на 807 Ом будет коллектором, потому что переход база-коллектор имеет меньшее сопротивление, чем переход база-эмиттер. Также существуют транзисторы средней и большой мощности, у них коллектор соединен с корпусом или с металлической пластиной, предназначенной для отвода тепла.

Как проверить мощный биполярный транзистор и его цоколевку!!!

Проверка отдельных деталей

Давайте рассмотрим некоторые детали, при поломке которых происходит разрыв цепи, а вместе с ней и всего оборудования.

Катушка индуктивности

Карта редко выходит из строя из-за этой детали. Как правило, разрыв происходит по двум причинам:

• короткое замыкание;
• разомкнутая цепь.

После проверки мультиметром значения сопротивления катушки, если значение меньше бесконечности, цепь не разрывается. Чаще всего сопротивление индуктивности имеет значение в несколько десятков Ом.

Закрытие поворота заметить немного сложнее. Для этого переносим прибор в сектор измерения напряжения цепи. Необходимо определить величину напряжения самоиндукции. Подаем на обмотку низковольтный ток (чаще всего используется корона), замыкаем лампочкой. Лампочка мигала — короткого замыкания нет.

Резистор

Эта деталь довольно часто используется на различных платах. И так же часто, когда они выходят из строя, устройство выходит из строя. Резисторы легко проверить на работу мультиметром. Для этого необходимо измерить сопротивление.

Когда значение приближается к бесконечности, деталь необходимо заменить. Неисправность детали можно определить визуально. Как правило, они чернеют из-за перегрева. Если значение изменится более чем на 5%, резистор необходимо заменить.

Проверка диода на неисправность не займет много времени. Включаем мультиметр для измерения сопротивления. Красный зонд на аноде детали, черный на катоде: показание шкалы должно быть от 10 до 100 Ом.

Давайте изменим порядок щупов мультиметра, теперь минус (черный щуп) на аноде — это показание, стремящееся к бесконечности. Эти значения указывают на исправность диода.

Шлейф

В этом случае необходимо сделать входные контакты на плате и на самом шлейфе кольцевыми. Вставляем щуп мультиметра в один из контактов и начинаем звонить. Если вы слышите звуковой сигнал, эти контакты исправны.

В случае неисправности ни одно из отверстий не найдет «пара». Если один из контактов звонит одновременно с несколькими, значит, пора менять схему, так как у старого короткое замыкание.

Микросхема

Доступен широкий выбор этих деталей. Замерить и определить неисправность микросхемы с помощью мультиметра довольно сложно, часто используются pci-тестеры. Мультиметр не позволяет проводить измерения, потому что в небольшой части находится несколько десятков транзисторов и других радиоэлементов. И миллиарды компонентов сконцентрированы в некоторых из последних разработок.

Проблема может быть определена только визуальным осмотром (повреждение корпуса, изменение цвета, обрыв кабелей, сильный нагрев). Если деталь повреждена, ее необходимо заменить. Часто при выходе из строя микросхемы компьютер и другие устройства перестают работать, поэтому поиск неисправности следует начинать с осмотра микросхемы.

Тестер материнской платы — лучший вариант для определения поломки отдельной детали и сборки. Подключив POST-карту к материнской плате и запустив тестовый режим, мы получаем информацию о вышедшем из строя узле на экране устройства. Провести опрос с помощью тестера pci может даже новичок, не имеющий специальных навыков.

Стабилизаторы

Ответ на этот вопрос, как проверить стабилитрон, знает каждый радиотехник. Для этого переводим мультиметр в положение измерения диода. Затем щупами прикасаемся к выводам детали, снимаем показания. Меняем местами щупы и измеряем и записываем числа на экране.

При значении порядка 500 Ом и во втором измерении значение сопротивления стремится к бесконечности: эта часть полезна и подходит для дальнейшего использования. На бракованном — значение по двум измерениям будет равно бесконечности — с внутренним разрывом. При значении сопротивления до 500 соток произошел полусбой.

Но очень часто на микросхеме материнской платы перегорают мосты — северный и южный. Это стабилизаторы питания схемы, с которой на материнскую плату подается напряжение. Определить эту «неприятность» достаточно просто. Включаем блок питания компьютера и подносим руку к материнской плате. В месте ушиба будет очень жарко. Одной из причин отказа мог быть полевой транзистор моста. Затем мы дозваниваемся до их клемм и при необходимости заменяем неисправную деталь. Сопротивление в полезной зоне не должно превышать 600 Ом.

Методом обнаружения нагревательного прибора определяется короткое замыкание (короткое замыкание) на некоторых участках платы. При подаче питания и обнаружении области нагрева смазываем область нагрева кистью. По испарению спирта определяется деталь с коротким замыканием.

Диод

Проверка диода на неисправность не займет много времени. Включаем мультиметр для измерения сопротивления. Красный зонд на аноде детали, черный на катоде: показание шкалы должно быть от 10 до 100 Ом. Давайте изменим порядок, теперь минус (черный зонд) на аноде — это показание, стремящееся к бесконечности. Эти значения указывают на исправность диода.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона можно регулировать, увеличивая количество включенных в него биполярных транзисторов. Существует также IGBT, который включает в себя биполярный транзистор и полевой транзистор, используемый в высоковольтной электронике.

Основным преимуществом композитных транзисторов является их способность обеспечивать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что если коэффициент усиления каждого из двух транзисторов равен 60, когда они работают вместе в составном транзисторе, общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов составляющих его транзисторов (в данном случае 3600). Следовательно, для открытия транзистора Дарлингтона требуется достаточно небольшой базовый ток.

Недостатком композитных транзисторов считается их низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах, работающих на низких частотах. Композитные транзисторы часто входят в состав выходных каскадов мощных усилителей низкой частоты.

Основные причины неисправности

Наиболее частыми причинами выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме являются следующие:

1. Прервите переход между составными частями.
2. Разбивка одного из переходов.
3. Поломка коллектора или эмиттерной секции.
4. Потеря мощности в цепи под напряжением.
5. Видимые повреждения кабелей.

Характерные внешние признаки такого разрыва — почернение детали, припухлость и появление черного пятна. Поскольку такие изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, проблема диагностики маломощных остается актуальной.